原子層沉積設備（RSD-120型）
關鍵詞：
泛半導體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線集成解決方案提供商
原子層沉積設備（RSD-120型）
原子層沉積設備（RSD-120型）
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采用時間法原子層沉積（T-ALD）技術，主要用于反式鈣鈦礦電池中電子傳輸層或緩沖層的沉積，沉積15-20nm的氧化錫/氧化鈦薄膜。
設備特點
· 可沉積氧化鋁/氧化鈦/氧化錫等膜層
· 獨特的橫流設計，前驅體源利用率高
· 多層高均勻性反應器設計，可提供最佳的低溫控制
· 極佳的薄膜沉積均勻性，邊緣繞鍍可控
· 擁有大面積高質量膜層制備解決方案
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